ୱେଫର୍ ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପରିଚୟ |
1. ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ |
ୱାଫରରୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତିଆରି କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ୱାଫରର ଚେହେରା ଲଗାତାର ବଦଳିଯାଏ |ପ୍ରଥମେ, ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ୱେଫର୍ ର ଏଜ୍ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି, ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ସାଧାରଣତ wa ୱେଫର୍ ର ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱକୁ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରେ |ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ସମାପ୍ତି ପରେ, ଆପଣ ବ୍ୟାକସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆରମ୍ଭ କରିପାରିବେ ଯାହା କେବଳ ୱେଫର୍ ର ପଛ ଭାଗକୁ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରେ, ଯାହା ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରଦୂଷଣକୁ ଦୂର କରିପାରିବ ଏବଂ ଚିପ୍ ର ଘନତାକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ଯାହା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୁକ୍ତ | ଆଇସି କାର୍ଡ କିମ୍ବା ମୋବାଇଲ୍ ଡିଭାଇସରେ ଲଗାଯାଇଥିବା ପତଳା ଚିପ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ |ଏହା ସହିତ, ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିବା, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଉପଯୋଗକୁ ହ୍ରାସ କରିବା, ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ବ increasing ାଇବା ଏବଂ ୱେଫର୍ ପଛରେ ଉତ୍ତାପକୁ ଶୀଘ୍ର ବିସ୍ତାର କରିବାର ସୁବିଧା ରହିଛି |କିନ୍ତୁ ସେହି ସମୟରେ, ୱେଫର୍ ପତଳା ହୋଇଥିବାରୁ ବାହ୍ୟ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ଏହାକୁ ଭାଙ୍ଗିବା କିମ୍ବା ଯୁଦ୍ଧ କରିବା ସହଜ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପଦକ୍ଷେପକୁ ଅଧିକ କଷ୍ଟସାଧ୍ୟ କରିଥାଏ |
2. ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ (ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ) ବିସ୍ତୃତ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂକୁ ନିମ୍ନଲିଖିତ ତିନୋଟି ସୋପାନରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ପ୍ରଥମେ, ୱେଫର୍ ଉପରେ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଟେପ୍ ଲାମିନେସନ୍ ଲେପନ କରନ୍ତୁ;ଦ୍ୱିତୀୟରେ, ୱେଫର୍ ପଛପଟକୁ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରନ୍ତୁ;ତୃତୀୟତ the, ୱିଫର୍ ଠାରୁ ଚିପ୍ ଅଲଗା କରିବା ପୂର୍ବରୁ, ୱେଫର୍କୁ ୱେଫର୍ ମାଉଣ୍ଟିଂରେ ରଖିବା ଆବଶ୍ୟକ ଯାହାକି ଟେପକୁ ସୁରକ୍ଷା ଦେଇଥାଏ |ୱେଫର୍ ପ୍ୟାଚ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ଅଲଗା କରିବା ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପର୍ଯ୍ୟାୟ |ଚିପ୍(ଚିପ୍ କାଟିବା) ଏବଂ ସେଥିପାଇଁ କାଟିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମଧ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ |ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବର୍ଷଗୁଡିକରେ, ଯେହେତୁ ଚିପ୍ସ ପତଳା ହୋଇଗଲାଣି, ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ରମ ମଧ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପଦକ୍ଷେପଗୁଡିକ ଅଧିକ ପରିଶୋଧିତ ହୋଇପାରିଛି |
3. ୱେଫର୍ ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ ଟେପ୍ ଲାମିନେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ପଛ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂର ପ୍ରଥମ ସୋପାନ ହେଉଛି ଆବରଣ |ଏହା ହେଉଛି ଏକ ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ୱେଫର ସମ୍ମୁଖରେ ଟେପ୍ ରଖେ |ପିଠିରେ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରିବାବେଳେ, ସିଲିକନ୍ ଯ ounds ଗିକଗୁଡିକ ଚାରିଆଡ଼େ ବିସ୍ତାର ହେବ, ଏବଂ ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ବାହ୍ୟ ଶକ୍ତି ଯୋଗୁଁ ୱେଫର୍ ଫାଟିଯାଇପାରେ କିମ୍ବା ଚୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ୱେଫର୍ କ୍ଷେତ୍ର ଯେତେ ବଡ଼, ଏହି ଘଟଣା ପ୍ରତି ଅଧିକ ସଂକ୍ରମିତ ହୁଏ |ତେଣୁ, ପଛକୁ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରିବା ପୂର୍ବରୁ, ୱେଫର୍ ର ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ ଏକ ପତଳା ଅଲ୍ଟ୍ରା ଭାୟୋଲେଟ୍ (UV) ନୀଳ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସଂଲଗ୍ନ ହୋଇଛି |
ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ସମୟରେ, ୱେଫର୍ ଏବଂ ଟେପ୍ ମଧ୍ୟରେ କ gap ଣସି ଫାଙ୍କା କିମ୍ବା ବାୟୁ ବବୁଲ୍ ନହେବା ପାଇଁ, ଆଡେସିଭ୍ ଫୋର୍ସ ବ to ାଇବା ଆବଶ୍ୟକ |ଅବଶ୍ୟ, ପଛରେ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରିବା ପରେ, ୱାଫର୍ ଉପରେ ଥିବା ଟେପ୍ ଅଲଟ୍ରାଭାଇଓଲେଟ୍ ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଆଡିଶିଭ୍ ଫୋର୍ସକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଉଚିତ |ଛଡ଼ାଇବା ପରେ, ଟେପ୍ ଅବଶିଷ୍ଟ ଅଂଶ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରହିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ |ବେଳେବେଳେ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକ ଦୁର୍ବଳ ଆଡିଶିନ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବ ଏବଂ ଅଣ-ଅଲ୍ଟ୍ରା-ବାଇଗଣି ରଙ୍ଗର ମେମ୍ବ୍ରେନ୍ ଚିକିତ୍ସା ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ପ୍ରବୃତ୍ତି କରିବ, ଯଦିଓ ଅନେକ ଅସୁବିଧା, କିନ୍ତୁ ଶସ୍ତା |ଏଥିସହ, UV ହ୍ରାସ ମେମ୍ବ୍ରାନ୍ର ଦୁଇଗୁଣ ମୋଟା ବମ୍ପ୍ ଫିଲ୍ମଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ଭବିଷ୍ୟତରେ ବାରମ୍ବାର ବୃଦ୍ଧି ସହିତ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ |
4. ୱେଫର୍ ଘନତା ଚିପ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍ ସହିତ ବିପରୀତ ଅନୁପଯୁକ୍ତ |
ବ୍ୟାକସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପରେ ୱାଫର ଘନତା ସାଧାରଣତ 800 800-700 µm ରୁ 80-70 µm କୁ କମିଯାଏ |ଏକ ଦଶମ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପତଳା ହୋଇଥିବା ୱାଫର୍ସ ଚାରିରୁ ଛଅ ସ୍ତରକୁ ଷ୍ଟକ୍ କରିପାରେ |ସମ୍ପ୍ରତି, ଦୁଇ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ wa ାରା ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ପ୍ରାୟ 20 ମିଲିମିଟର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପତଳା ହୋଇପାରେ, ଯାହା ଦ୍ them ାରା ସେଗୁଡିକ 16 ରୁ 32 ସ୍ତରରେ ଷ୍ଟାକିଂ ହୋଇପାରେ, ଏକ ମଲ୍ଟି-ଲେୟାର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର structure ାଞ୍ଚା ଯାହା ମଲ୍ଟି ଚିପ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍ (MCP) ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା |ଏହି କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଏକାଧିକ ସ୍ତରର ବ୍ୟବହାର ସତ୍ତ୍, େ, ସମାପ୍ତ ପ୍ୟାକେଜ୍ ର ମୋଟ ଉଚ୍ଚତା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଘନତାଠାରୁ ଅଧିକ ହେବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ, ଯେଉଁଥିପାଇଁ ପତଳା ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ ୱାଫର୍ ସବୁବେଳେ ଅନୁସରଣ କରାଯାଏ |ୱେଫର୍ ଯେତେ ପତଳା, ସେଠାରେ ଅଧିକ ତ୍ରୁଟି ଅଛି ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଧିକ କଷ୍ଟକର |ତେଣୁ ଏହି ସମସ୍ୟାର ଉନ୍ନତି ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ଜ୍ଞାନକ technology ଶଳ ଆବଶ୍ୟକ |
5. ବ୍ୟାକ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପଦ୍ଧତିର ପରିବର୍ତ୍ତନ |
ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ techniques ଶଳର ସୀମାକୁ ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ଯଥା ସମ୍ଭବ ପତଳା କାଟିବା ଦ୍ୱାରା, ବ୍ୟାକସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକଶିତ ହେବାରେ ଲାଗିଛି |50 କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ ଅଧିକ ମୋଟା ଥିବା ସାଧାରଣ ୱାଫର୍ ପାଇଁ, ବ୍ୟାକସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂରେ ତିନୋଟି ସୋପାନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ଏକ ରୁଫ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଏବଂ ତା’ପରେ ଏକ ଫାଇନ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ, ଯେଉଁଠାରେ ୱେଫର୍ ଦୁଇଟି ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଅଧିବେଶନ ପରେ କଟା ହୋଇ ପଲିସ୍ କରାଯାଏ |ଏହି ସମୟରେ, କେମିକାଲ୍ ମେକାନିକାଲ୍ ପଲିସିଂ (ସିଏମ୍ପି) ପରି ସ୍ଲୁରି ଏବଂ ଡିଓନାଇଜଡ୍ ୱାଟର୍ ସାଧାରଣତ the ପଲିସିଂ ପ୍ୟାଡ୍ ଏବଂ ୱେଫର୍ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ |ଏହି ପଲିସିଂ କାର୍ଯ୍ୟ ୱେଫର୍ ଏବଂ ପଲିସିଂ ପ୍ୟାଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ଘର୍ଷଣକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠକୁ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ କରିପାରେ |ଯେତେବେଳେ ୱେଫର୍ ମୋଟା ହୋଇଯାଏ, ସୁପର ଫାଇନ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ୱେଫର୍ ଯେତେ ପତଳା, ଅଧିକ ପଲିସିଂ ଆବଶ୍ୟକ |
ଯଦି ୱେଫର୍ ପତଳା ହୋଇଯାଏ, ତେବେ ଏହା କାଟିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବାହ୍ୟ ତ୍ରୁଟିର ଶିକାର ହୁଏ |ତେଣୁ, ଯଦି ୱେଫର୍ ର ଘନତା 50 µm କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ କମ୍, ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ରମ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଇପାରେ |ଏହି ସମୟରେ, DBG (Dinding Before Grinding) ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଅର୍ଥାତ୍ ପ୍ରଥମ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପୂର୍ବରୁ ୱେଫର୍ ଅଧା କାଟି ଦିଆଯାଏ |ଚିପ୍ ସୁରକ୍ଷିତ ଭାବରେ ୱେଫର୍ ଠାରୁ ଡିସିଙ୍ଗ୍, ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଏବଂ ସ୍ଲାଇସିଂ କ୍ରମରେ ଅଲଗା ହୋଇଛି |ଏହା ସହିତ, ସେଠାରେ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପଦ୍ଧତି ଅଛି ଯାହା ୱେଫର୍ ଭାଙ୍ଗିବାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଗ୍ଲାସ୍ ପ୍ଲେଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ |
ବ electrical ଦୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣରେ ଏକୀକରଣର ଚାହିଦା ସହିତ, ବ୍ୟାକସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି କେବଳ ଏହାର ସୀମିତତାକୁ ଦୂର କରିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ, ବରଂ ବିକାଶ ମଧ୍ୟ ଜାରି ରଖିବା ଉଚିତ |ଏଥି ସହିତ, କେବଳ ୱେଫର୍ ର ତ୍ରୁଟି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ନୁହେଁ, ଭବିଷ୍ୟତ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉପୁଜିଥିବା ନୂତନ ସମସ୍ୟା ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ, ଏହା ଆବଶ୍ୟକ ହୋଇପାରେ |ସୁଇଚ୍ପ୍ରକ୍ରିୟା କ୍ରମ, କିମ୍ବା ପ୍ରୟୋଗ ହୋଇଥିବା ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ପ୍ରବର୍ତ୍ତନ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର |ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଏବଂ ନୂତନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ବିକାଶ କରନ୍ତୁ |ବୃହତ କ୍ଷେତ୍ରର ୱାଫରଗୁଡିକର ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ତ୍ରୁଟି ସମାଧାନ କରିବାକୁ, ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପଦ୍ଧତି ଅନୁସନ୍ଧାନ କରାଯାଉଛି |ଏଥିସହ, ୱାଫର୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍ କରିବା ପରେ ଉତ୍ପାଦିତ ସିଲିକନ୍ ସ୍ଲାଗ୍କୁ କିପରି ରିସାଇକ୍ଲିଂ କରାଯିବ ସେନେଇ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଚାଲିଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁଲାଇ -14-2023 |