ନୂତନ ମୂଳ LM25118Q1MH / NOPB ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP Ic Chip LM25118Q1MH / NOPB

1. ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବାକିଂ |

ସୁବିଧା

ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା: ମସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଛୋଟ ଏବଂ ସ୍କଟ୍କି ଡାୟୋଡ୍ର ଫରୱାର୍ଡ କସ୍ମୋସ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ଠାରୁ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବହୁତ ଛୋଟ |

ଅସୁବିଧା

ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ସ୍ଥିରତା: ଡ୍ରାଇଭ୍ ସର୍କିଟ୍କୁ ଡିଜାଇନ୍ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ ଏକ ସମୟରେ ଉପର ଏବଂ ତଳ ଟ୍ୟୁବ୍ ଠାରୁ ଦୂରେଇ ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ, ସର୍କିଟ ଅଧିକ ଜଟିଳ ଅଟେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ସ୍ଥିରତା ନଥାଏ |

2. ଅଣ-ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବାଲ୍ |

ସୁବିଧା

କମ୍ ଦକ୍ଷତା: ମସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ସହିତ ସ୍କଟ୍କି ଡାୟୋଡ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ବଡ଼ |

ଅସୁବିଧା

ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥିରତା: ଉପର ଏବଂ ତଳ ଟ୍ୟୁବଗୁଡ଼ିକର ଏକକାଳୀନ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ହେବ ନାହିଁ |

1: PFM (ନାଡ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍ ପଦ୍ଧତି)

ନାଡିର ମୋଟେଇ ସୁଇଚ୍ କରିବା ନିଶ୍ଚିତ, ନାଡିର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିବର୍ତ୍ତନ କରି ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ଥିର ହୋଇଯାଏ |ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରକାରର ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାରର ସୁବିଧା ଅଛି ଯଦିଓ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ବିଶେଷତ small ଛୋଟ ଭାରରେ |

2: PWM (ପଲ୍ସ ଓସାର ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍)

PWM କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ପ୍ରକାର ଅତ୍ୟନ୍ତ ଦକ୍ଷ ଏବଂ ଏହାର ଭଲ ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ରିପଲ୍ ଏବଂ ଶବ୍ଦ ଅଛି |

ସଂକ୍ଷେପରେ କହିବାକୁ ଗଲେ: ସାଧାରଣତ DC, ଦୁଇଟି ଭିନ୍ନ ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍ ପଦ୍ଧତି, PFM ଏବଂ PWM ସହିତ DC-DC କନଭର୍ଟର ମଧ୍ୟରେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାର୍ଥକ୍ୟ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ |

PWM ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, PFM ଡ୍ୟୁଟି ଚକ୍ର ଚୟନ ପଦ୍ଧତି |ଛୋଟ ଭାରରେ PWM / PFM ରୂପାନ୍ତର ପ୍ରକାର PFM ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଭାରୀ ଭାରରେ PWM ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସୁଇଚ୍ |

3.

ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବୁଷ୍ଟ୍ ଆଇସି ଏବଂ ଅସନ୍ତୁଳିତ ବୃଦ୍ଧି ଆଇସି ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ?

ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବୁଷ୍ଟ୍ ଆଇସି ଏବଂ ଅସନ୍ତୁଳିତ ବୃଦ୍ଧି ମଧ୍ୟରେ ମୁଖ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେଉଛି ସଂଶୋଧନ ପଦ୍ଧତିର ପାର୍ଥକ୍ୟ |

ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବୁଷ୍ଟ୍ ଆଇସି ସର୍କିଟ୍ MOS ବ୍ୟବହାର କରେ କାରଣ ଖୋଲା ଅବସ୍ଥାରେ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ଗୁଡ଼ିକର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ କମ୍ ଏବଂ ସଂଶୋଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ କ୍ଷତି ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍, ତେଣୁ ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ବୃଦ୍ଧିର ଦକ୍ଷତା ଅଧିକ ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ କମ୍ |ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |

ଅସନ୍ତୁଳିତ ବୃଦ୍ଧି ଆଇସି ସର୍କିଟ୍ ସଂଶୋଧନ ପାଇଁ ଡାୟୋଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ |ସଂଶୋଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଡାୟୋଡ୍ଗୁଡ଼ିକର ଏକ ଜଙ୍କସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ଅଛି |ସଂଶୋଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ କରେଣ୍ଟ ଯେତେ ଅଧିକ, କ୍ଷତି ସେତେ ଅଧିକ |ସାଧାରଣତ ,, ଶକ୍ତି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |