order_bg

ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ

IPD068P03L3G ନୂତନ ମୂଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଆଇସି ଚିପ୍ MCU BOM ସେବା ଷ୍ଟକ୍ IPD068P03L3G ରେ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ

TYPE ବର୍ଣ୍ଣନା
ବର୍ଗ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ |

ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର - FET, MOSFETs - ଏକକ |

Mfr ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି |
ସିରିଜ୍ OptiMOS ™
ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR)

କଟା ଟେପ୍ (CT)

Digi-Reel®

ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ |
FET ପ୍ରକାର | ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
ଟେକ୍ନୋଲୋଜି | MOSFET (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍)
ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) କୁ ନିଷ୍କାସନ କରନ୍ତୁ | 30 ଭି
ସାମ୍ପ୍ରତିକ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc)
ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (ସର୍ବାଧିକ) @ Id 2V @ 150µA
ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ (Qg) (ସର୍ବାଧିକ) @ Vgs | 91 nC @ 10 V
Vgs (ସର୍ବାଧିକ) ± 20V
ଇନପୁଟ୍ କ୍ଷମତା (ସିସ୍) (ସର୍ବାଧିକ) @ Vds | 7720 pF @ 15 V
FET ବ ature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ | -
ଶକ୍ତି ବିତରଣ (ସର୍ବାଧିକ) 100W (Tc)
ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
ମାଉଣ୍ଟିଂ ପ୍ରକାର | ସରଫେସ୍ ମାଉଣ୍ଟ୍ |
ଯୋଗାଣକାରୀ ଉପକରଣ ପ୍ୟାକେଜ୍ | PG-TO252-3
ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍ TO-252-3, DPak (2 ଲିଡ୍ + ଟ୍ୟାବ୍), SC-63 |
ମୂଳ ଉତ୍ପାଦ ସଂଖ୍ୟା | IPD068

ଡକ୍ୟୁମେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ମିଡିଆ |

ରିସୋର୍ସ ପ୍ରକାର | LINK
ଡାଟାସିଟ୍ IPD068P03L3 G
ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସମ୍ବନ୍ଧୀୟ ଡକ୍ୟୁମେଣ୍ଟ୍ | ଭାଗ ସଂଖ୍ୟା ଗାଇଡ୍ |
ବ ured ଶିଷ୍ଟ୍ୟଯୁକ୍ତ ଉତ୍ପାଦ | ଡାଟା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସିଷ୍ଟମ୍ |
HTML ଡାଟାସିଟ୍ | IPD068P03L3 G
EDA ମଡେଲଗୁଡିକ | ଅଲ୍ଟ୍ରା ଲାଇବ୍ରେରିଆନ୍ ଦ୍ୱାରା IPD068P03L3GATMA1 |

ପରିବେଶ ଏବଂ ରପ୍ତାନି ବର୍ଗୀକରଣ |

ATTRIBUTE ବର୍ଣ୍ଣନା
RoHS ସ୍ଥିତି | ROHS3 ଅନୁରୂପ |
ଆର୍ଦ୍ରତା ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ସ୍ତର (MSL) 1 (ଅସୀମିତ)
REACH ସ୍ଥିତି | REACH ଅସୁରକ୍ଷିତ |
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

ଅତିରିକ୍ତ ଉତ୍ସଗୁଡ଼ିକ

ATTRIBUTE ବର୍ଣ୍ଣନା
ଅନ୍ୟ ନାମଗୁଡିକ | IPD068P03L3GATMA1DKR |

IPD068P03L3GATMA1-ND |

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT |

IPD068P03L3GATMA1TR |

ମାନକ ପ୍ୟାକେଜ୍ | 2500

ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର

ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ହେଉଛିସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଅଭ୍ୟସ୍ତବୃଦ୍ଧି କର |କିମ୍ବାସୁଇଚ୍ବ electrical ଦୁତିକ ସଙ୍କେତ ଏବଂଶକ୍ତି।ଆଧୁନିକତାର ମ building ଳିକ ବିଲ୍ଡିଂ ବ୍ଲକ ମଧ୍ୟରୁ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ହେଉଛି ଅନ୍ୟତମ |ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ.[1]ଏହା ଗଠିତ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ |, ସାଧାରଣତ at ଅତିକମରେ ତିନୋଟି ସହିତ |ଟର୍ମିନାଲ୍ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ସହିତ ସଂଯୋଗ ପାଇଁ |କଭୋଲଟେଜ୍କିମ୍ବାସାମ୍ପ୍ରତିକଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଟର୍ମିନାଲ୍ ର ଗୋଟିଏ ଯୋଡିରେ ପ୍ରୟୋଗ ଅନ୍ୟ ଏକ ଟର୍ମିନାଲ୍ ମାଧ୍ୟମରେ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ |କାରଣ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ (ଆଉଟପୁଟ୍) ଶକ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ (ଇନପୁଟ୍) ଶକ୍ତିଠାରୁ ଅଧିକ ହୋଇପାରେ, ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏକ ସଙ୍କେତକୁ ବ ify ାଇପାରେ |କେତେକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପୃଥକ ଭାବରେ ପ୍ୟାକେଜ୍ ହୋଇଛି, କିନ୍ତୁ ଆହୁରି ଅନେକ ଏମ୍ବେଡ୍ ହୋଇଥିବା ଦେଖିବାକୁ ମିଳୁଛି |ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ |.

ଅଷ୍ଟ୍ରୋ-ହଙ୍ଗେରୀ | ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନୀ ଜୁଲିୟସ୍ ଏଡଗାର୍ ଲିଲିଏନ୍ଫେଲ୍ଡ |a ର ଧାରଣା ପ୍ରସ୍ତାବିତ |ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |1926 ରେ, କିନ୍ତୁ ପ୍ରକୃତରେ ସେହି ସମୟରେ ଏକ କାର୍ଯ୍ୟ ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ କରିବା ସମ୍ଭବ ନୁହେଁ |[2]ନିର୍ମାଣ ହେବାକୁ ଥିବା ପ୍ରଥମ କାର୍ଯ୍ୟ ଉପକରଣ ହେଉଛି aପଏଣ୍ଟ-କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |ଆମେରିକୀୟ ପଦାର୍ଥବିଜ୍ଞାନୀମାନଙ୍କ ଦ୍ 194 ାରା 1947 ରେ ଉଦ୍ଭାବିତ |ଜନ ବର୍ଡେନ |ଏବଂୱାଲ୍ଟର୍ ବ୍ରାଟେନ୍ |ଅଧୀନରେ କାମ କରିବା ସମୟରେ |ୱିଲିୟମ୍ ଶକ୍ଲି |atବେଲ୍ ଲ୍ୟାବ୍ |।ତିନିଜଣ 1956 ଅଂଶୀଦାର କଲେ |ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନରେ ନୋବେଲ ପୁରସ୍କାର |ସେମାନଙ୍କର ସଫଳତା ପାଇଁ |[3]ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ ହେଉଛି |ଧାତୁ - ଅକ୍ସାଇଡ୍ - ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |(MOSFET), ଯାହା ଦ୍ୱାରା ଉଦ୍ଭାବନ କରାଯାଇଥିଲା |ମହମ୍ମଦ ଅଟଲାଏବଂଡୋନ୍ କାଙ୍ଗ୍1959 ରେ ବେଲ୍ ଲ୍ୟାବ୍ସରେ |[4][5][6]ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ revolution ପ୍ଳବିକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଆଣି ଛୋଟ ଏବଂ ଶସ୍ତା ପାଇଁ ପଥ ପରିଷ୍କାର କଲା |ରେଡିଓ,କାଲକୁଲେଟର, ଏବଂକମ୍ପ୍ୟୁଟରଗୁଡ଼ିକ, ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଜିନିଷ ମଧ୍ୟରେ |

ଅଧିକାଂଶ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରଗୁଡିକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଶୁଦ୍ଧରୁ ନିର୍ମିତ |ସିଲିକନ୍ |, ଏବଂ କିଛିଜର୍ମାନ୍, କିନ୍ତୁ ଅନ୍ୟ କେତେକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ବେଳେବେଳେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଏକ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରରେ କେବଳ ଏକ ପ୍ରକାର ଚାର୍ଜ ବାହକ ଥାଇପାରେ, ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରରେ, କିମ୍ବା ଏଥିରେ ଦୁଇ ପ୍ରକାରର ଚାର୍ଜ ବାହକ ଥାଇପାରେ |ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକସହିତ ତୁଳନାଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ |, ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ smaller ଛୋଟ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ କମ୍ ଶକ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି |କେତେକ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ବହୁତ ଉଚ୍ଚ ଅପରେଟିଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କିମ୍ବା ହାଇ ଅପରେଟିଂ ଭୋଲଟେଜରେ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉପରେ ସୁବିଧା ଅଛି |ଏକାଧିକ ଉତ୍ପାଦନକାରୀଙ୍କ ଦ୍ୱାରା ଅନେକ ପ୍ରକାରର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ମାନକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ |


  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ:

  • ତୁମର ବାର୍ତ୍ତା ଏଠାରେ ଲେଖ ଏବଂ ଆମକୁ ପଠାନ୍ତୁ |