IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC ଚିପ୍ ନୂତନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ |

IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC ଚିପ୍ ନୂତନ ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ଉପାଦାନ ବ Feat ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଚିତ୍ର |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | ତାରିଖସିଟ୍ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

IPD042P03L3 G
ପି-ଚ୍ୟାନେଲ ଉନ୍ନତି ମୋଡ୍ ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (FET), -30 V, D-PAK |
ଇନଫାଇନନ୍ ର ଅତ୍ୟଧିକ ଅଭିନବ ଅପ୍ଟି MOS ™ ପରିବାରରେ p- ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଶକ୍ତି MOSFET ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |ଏହି ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଗୁଣ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଚାହିଦା ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଡିଜାଇନ୍ ପାଇଁ ପ୍ରମୁଖ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣରେ ପୂରଣ କରେ ଯେପରିକି ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ମେରିଟ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟର ଚିତ୍ର |

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ

ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ	ଗୁଣବତ୍ତା ମୂଲ୍ୟ
ଉତ୍ପାଦକ:	ଇନଫିନନ୍ \|
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ:	MOSFET
RoHS:	ବିବରଣୀ
ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା:	Si
ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶ Style ଳୀ:	SMD / SMT
ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍:	TO-252-3
ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପୋଲାରିଟି:	ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ \|
ଚ୍ୟାନେଲ ସଂଖ୍ୟା:	1 ଚ୍ୟାନେଲ୍ \|
Vds - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍:	30 ଭି
Id - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍:	70 A
Rds On - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ:	3.5 mOhms
Vgs - ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍:	2 ଭି
Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ:	175 nC
ସର୍ବନିମ୍ନ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା:	- 55 C
ସର୍ବାଧିକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା:	+ 175 C
ପିଡି - ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର:	150 W
ଚ୍ୟାନେଲ ମୋଡ୍:	ବୃଦ୍ଧି
ବାଣିଜ୍ୟ ନାମ:	OptiMOS \|
ପ୍ୟାକେଜିଂ:	ରିଲ୍ \|
ପ୍ୟାକେଜିଂ:	ଟେପ୍ କାଟ \|
ପ୍ୟାକେଜିଂ:	ମାଉସ୍ ରିଲ୍ \|
ବ୍ରାଣ୍ଡ:	ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି \|
ବିନ୍ୟାସ:	ଏକକ
ପତନ ସମୟ:	22 ns
ଅଗ୍ରଗାମୀ ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ - ମିନିଟ୍:	65 S
ଉଚ୍ଚତା:	2.3 ମିମି
ଦ Length ର୍ଘ୍ୟ:	6.5 ମିମି
ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର:	MOSFET
ଉଠିବା ସମୟ:	167 ns
କ୍ରମ:	OptiMOS P3 \|
କାରଖାନା ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ:	2500
ଉପ ଶ୍ରେଣୀ:	MOSFETs \|
ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର:	1 ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ \|
ସାଧାରଣ ଟର୍ନ୍ ଅଫ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ:	89 ns
ସାଧାରଣ ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ:	21 ns
ମୋଟେଇ:	6.22 ମିମି
ଭାଗ # ଛଦ୍ମନାମ:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1 \|
ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ:	0.011640 ଓଜ୍ \|