ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଆଇସି ଚିପ୍ସ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ IC TPS74701QDRCRQ1 ଗୋଟିଏ ସ୍ପଟ୍ କ୍ରୟ |

ୱାଫର୍ ଏବଂ ଚିପ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କ |

ୱାଫରର ସମୀକ୍ଷା

ୱାଫର୍ ଏବଂ ଚିପ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ସମ୍ପର୍କକୁ ବୁ To ିବା ପାଇଁ, ନିମ୍ନରେ ୱେଫର୍ ଏବଂ ଚିପ୍ ଜ୍ଞାନର ମୁଖ୍ୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଏକ ସମୀକ୍ଷା |

(i) ଏକ ୱେଫର୍ କ’ଣ |

ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍, ଯାହାକୁ ବୃତ୍ତାକାର ଆକୃତି ହେତୁ ୱାଫର୍ କୁହାଯାଏ |ବିଭିନ୍ନ ସର୍କିଟ୍ ଉପାଦାନ ଗଠନ ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବ electrical ଦୁତିକ କାର୍ଯ୍ୟ ସହିତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦରେ ପରିଣତ ହେବା ପାଇଁ ସେଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉପରେ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରାଯାଇପାରେ |ୱାଫର୍ ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍, ଏବଂ ପୃଥିବୀର ଭୂତଳ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ର ଏକ ଅବିସ୍ମରଣୀୟ ଯୋଗାଣ ଅଛି |ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଖଣିକୁ ବ electric ଦୁତିକ ଆର୍କ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ବିଶୋଧିତ କରାଯାଏ, ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ​​ଏସିଡ୍ ସହିତ କ୍ଲୋରାଇନ୍ କରାଯାଏ ଏବଂ 99.99999999999% ଶୁଦ୍ଧତା ସହିତ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ପଲିସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଡିଷ୍ଟିଲ୍ କରାଯାଏ |

(ii) ୱାଫର୍ ପାଇଁ ମ Basic ଳିକ କଞ୍ଚାମାଲ |

ସିଲିକନ୍ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ବାଲିରୁ ବିଶୋଧିତ ହୋଇଛି ଏବଂ ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ ଉପାଦାନରୁ ଶୁଦ୍ଧ ହୋଇଛି (99.999%), ଯାହା ପରେ ସିଲିକନ୍ ରଡରେ ତିଆରି ହୋଇଛି ଯାହା ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପାଇଁ ପଦାର୍ଥ ହୋଇଯାଏ |

(iii) ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚିପ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ୱାଫର୍ ହେଉଛି ମ basic ଳିକ ସାମଗ୍ରୀ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କଞ୍ଚାମାଲ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ସେଥିପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ସହିତ ଅନୁରୂପ |

ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକୃତିରେ ପଥର ଏବଂ କଙ୍କଣରେ ସିଲିକେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଆକାରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ମିଳିଥାଏ |ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ତିନୋଟି ମ basic ଳିକ ପଦକ୍ଷେପରେ ସଂକ୍ଷିପ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ସିଲିକନ୍ ବିଶୋଧନ ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧତା, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ୱେଫର୍ ଗଠନ |

ପ୍ରଥମଟି ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ଶୁଦ୍ଧତା, ଯେଉଁଠାରେ ବାଲି ଏବଂ କଙ୍କାଳର କଞ୍ଚାମାଲ ପ୍ରାୟ 2000 ° C ତାପମାତ୍ରାରେ ଏବଂ କାର୍ବନ ଉତ୍ସର ଉପସ୍ଥିତିରେ ଏକ ବ electric ଦୁତିକ ଆର୍କ ଚୁଲାରେ ରଖାଯାଏ |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, ବାଲି ଏବଂ କଙ୍କଣରେ ଥିବା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏକ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା (କାର୍ବନ ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ ମିଶି, ସିଲିକନ୍ ଛାଡି) ପ୍ରାୟ 98% ଶୁଦ୍ଧତା ସହିତ ଶୁଦ୍ଧ ସିଲିକନ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ଧାତବ ବିଜ୍ଞାନ ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, ଯାହା ନୁହେଁ | ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ଶୁଦ୍ଧ କାରଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ |ତେଣୁ ମେଟାଲାଲଜିକାଲ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ଆହୁରି ଶୁଦ୍ଧ ହୋଇଛି: ଚୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇଥିବା ମେଟାଲୁରଜିକାଲ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳ ସିଲାନ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ ଗ୍ୟାସୀୟ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ କ୍ଲୋରାଇଡ୍ ସହିତ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୁଏ, ଯାହା ପରେ 99.99999999999 ର ଶୁଦ୍ଧତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରୁଥିବା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ dist ାରା ଡିଷ୍ଟିଲ୍ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ହ୍ରାସ ହୁଏ | %, ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ହୋଇଯାଏ |

ଏହା ପରେ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଆସେ, ଯାହାକୁ ସିଧାସଳଖ ଟାଣିବା (CZ ପଦ୍ଧତି) କୁହାଯାଏ |ନିମ୍ନରେ ଥିବା ଚିତ୍ରରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ପଲିସିଲିକନ୍ ଏକ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ରେ ରଖାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ବାହ୍ୟକୁ ଘେରି ରହିଥିବା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର ସହିତ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଗରମ କରାଯାଏ, ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 1400 ° C ରେ ରହିଥାଏ |ଚୁଲିରେ ଥିବା ଗ୍ୟାସ୍ ସାଧାରଣତ in ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଅଟେ, ଯାହା ଅନିଚ୍ଛାକୃତ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି ନକରି ପଲିସିଲିକନ୍ ତରଳି ଯିବାକୁ ଦେଇଥାଏ |ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ କରିବାକୁ, ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ଆଭିମୁଖ୍ୟ ମଧ୍ୟ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ: କ୍ରୁସିବଲ୍ ପଲିସିଲିକନ୍ ତରଳିବା ସହିତ ଘୂର୍ଣ୍ଣିତ ହୁଏ, ଏକ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏଥିରେ ବୁଡିଯାଏ, ଏବଂ ଏକ ଚିତ୍ରାଙ୍କନ ବାଡ଼ି ବିପରୀତ ଦିଗକୁ ନିଆଯାଏ ଯେତେବେଳେ ଧୀରେ ଧୀରେ ଏବଂ ଭୂଲମ୍ବ ଭାବରେ ଏହାକୁ ଉପରକୁ ଟାଣିଥାଏ | ସିଲିକନ୍ ତରଳିବା |ତରଳାଯାଇଥିବା ପଲିସିଲିକନ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକର ତଳ ଭାଗରେ ଲାଗିଥାଏ ଏବଂ ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକର ଲାଟାଇସ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଦିଗରେ ଉପରକୁ ବ ows ିଥାଏ |