SN74CB3Q3245RGYR 100% ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ DC କୁ DC କନଭର୍ଟର ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ରେଗୁଲେଟର ଚିପ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ
| TYPE | ILLUSTRATE |
| ବର୍ଗ | ସିଗନାଲ୍ ସୁଇଚର୍, ମଲ୍ଟିପ୍ଲେକ୍ସର୍, ଡିକୋଡର୍ | |
| ନିର୍ମାତା | ଟେକ୍ସାସ୍ ଯନ୍ତ୍ରଗୁଡ଼ିକ | |
| କ୍ରମ | 74CB |
| ଗୁଡ଼ାଇ ଦିଅ | | ଟେପ୍ ଏବଂ ରୋଲିଂ ପ୍ୟାକେଜ୍ (TR) ଇନସୁଲେଟିଂ ଟେପ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍ (CT) Digi-Reel® |
| ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି | | ସକ୍ରିୟ | |
| ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ | | ବସ୍ ସୁଇଚ୍ | |
| ସର୍କିଟ | 8 x 1 ： 1 |
| ସ୍ Independ ାଧୀନ ସର୍କିଟ | | 1 |
| ସାମ୍ପ୍ରତିକ - ଆଉଟପୁଟ୍ ଉଚ୍ଚ, ନିମ୍ନ | | - |
| ଭୋଲଟେଜ୍ ଯୋଗାଣ ଉତ୍ସ | | ଏକକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ | |
| ଭୋଲଟେଜ୍ - ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ | | 2.3V ~ 3.6V |
| ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା | | -40 ° C ~ 85 ° C |
| ସ୍ଥାପନ ପ୍ରକାର | ସରଫେସ୍ ଆଡେସିଭ୍ ପ୍ରକାର | |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / ଗୃହ | 20-VFQFN ଉନ୍ମୋଚିତ ପ୍ୟାଡ୍ | |
| ବିକ୍ରେତା ଉପାଦାନ ଏନକାପସୁଲେସନ୍ | | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| ଉତ୍ପାଦ ମାଷ୍ଟର ନମ୍ବର | | 74CB3Q3245 |
ଉତ୍ପାଦ ପରିଚୟ
SN74CB3Q3245 ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ FET ବସ୍ ସୁଇଚ୍, ଏକ ନିମ୍ନ ଏବଂ ଫ୍ଲାଟ ON- ରାଜ୍ୟ ପ୍ରତିରୋଧ (ରୋନ୍) ପ୍ରଦାନ କରି ପାସ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ to ାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଚାର୍ଜ ପମ୍ପ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |ନିମ୍ନ ଏବଂ ଫ୍ଲାଟ ON- ରାଜ୍ୟ ପ୍ରତିରୋଧ ସର୍ବନିମ୍ନ ପ୍ରସାର ବିଳମ୍ବ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ ଏବଂ ଡାଟା ଇନପୁଟ୍ / ଆଉଟପୁଟ୍ (I / O) ପୋର୍ଟଗୁଡିକରେ ରେଳ-ଟୁ-ରେଳ ସୁଇଚ୍ କୁ ସମର୍ଥନ କରେ |ଡାଟା ବସ୍ ରେ କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ ଲୋଡିଂ ଏବଂ ସିଗନାଲ୍ ବିକୃତିକୁ କମ୍ କରିବାକୁ ଡିଭାଇସ୍ କମ୍ ଡାଟା I / O କ୍ୟାପିଟାନ୍ସକୁ ମଧ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ କରେ |ଉଚ୍ଚ-ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି, SN74CB3Q3245 ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଯୋଗାଯୋଗ, ନେଟୱାର୍କିଙ୍ଗ ଏବଂ ଡାଟା-ଇଣ୍ଟେନ୍ସିଭ୍ କମ୍ପ୍ୟୁଟିଙ୍ଗ ସିଷ୍ଟମ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଭାବରେ ଏକ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
SN74CB3Q3245 ଏକ 8-ବିଟ୍ ବସ୍ ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ଏକକ ଆଉଟପୁଟ୍-ସକ୍ଷମ (OE \) ଇନପୁଟ୍ ସହିତ ସଂଗଠିତ |ଯେତେବେଳେ OE low କମ୍, ବସ୍ ସୁଇଚ୍ ଅନ୍ ଅଛି ଏବଂ A ପୋର୍ଟଟି B ପୋର୍ଟ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଯାହା ପୋର୍ଟଗୁଡିକ ମଧ୍ୟରେ ଦ୍ୱି-ଦିଗୀୟ ତଥ୍ୟ ପ୍ରବାହକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |ଯେତେବେଳେ OE high ଅଧିକ, ବସ୍ ସୁଇଚ୍ ବନ୍ଦ ଏବଂ A ଏବଂ B ପୋର୍ଟଗୁଡିକ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରତିରୋଧ ସ୍ଥିତି ବିଦ୍ୟମାନ |
Ioff ବ୍ୟବହାର କରି ଆଂଶିକ-ପାୱାର-ଡାଉନ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ଡିଭାଇସ୍ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କରାଯାଇଛି |Ioff ସର୍କିଟ୍ରି ଡିଭାଇସ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବ୍ୟାକଫ୍ଲୋକୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇବାରେ ରୋକିଥାଏ |ପାୱାର ଅଫ୍ ସମୟରେ ଡିଭାଇସରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଅଛି |
ପାୱାର୍ ଅପ୍ କିମ୍ବା ପାୱାର୍ ଡାଉନ୍ ସମୟରେ ହାଇ-ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ସ୍ଥିତି ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, OE \ ଏକ ପଲ୍ଅପ୍ ରେଜିଷ୍ଟର ମାଧ୍ୟମରେ VCC ସହିତ ବାନ୍ଧିବା ଉଚିତ୍;ପ୍ରତିରୋଧକର ସର୍ବନିମ୍ନ ମୂଲ୍ୟ ଡ୍ରାଇଭରର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବୁଡ଼ିବାର କ୍ଷମତା ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |
ଉତ୍ପାଦ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
- ଉଚ୍ଚ-ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଡାଟା ପଥ (500 MHz Up ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ)
- IDTQS3VH384 ଉପକରଣ ସହିତ ସମାନ |
- ଡିଭାଇସ୍ ଚାଳିତ-ଅପ୍ କିମ୍ବା ଚାଳିତ-ଡାଉନ୍ ସହିତ 5-ଭି ସହନଶୀଳ I / Os |
- ନିମ୍ନ ଏବଂ ଫ୍ଲାଟ ON- ରାଜ୍ୟ ପ୍ରତିରୋଧ (ରୋନ୍) ଅପରେଟିଂ ରେଞ୍ଜ ଉପରେ ଗୁଣ (ron = 4ΩTypical)
- ପାଖାପାଖି ଜିରୋ ପ୍ରଚାର ପ୍ରସାର ବିଳମ୍ବ ସହିତ ଡାଟା I / O ପୋର୍ଟଗୁଡିକ ଦ୍ୱି-ଦିଗୀୟ ଡାଟା ଫ୍ଲୋ ଉପରେ ରେଳ-ଟୁ-ରେଳ ସୁଇଚ୍ |କମ୍ ଇନପୁଟ୍ / ଆଉଟପୁଟ୍ କ୍ଷମତା ଲୋଡିଂ ଏବଂ ସିଗନାଲ୍ ବିକୃତିକୁ କମ୍ କରିଥାଏ (Cio (OFF) = 3.5 pF ସାଧାରଣ)
- 0- ରୁ 5-V ସୁଇଚ୍ 3.3-V VCC ସହିତ |
- 2.5-V VCC ସହିତ 0- ରୁ 3.3-V ସୁଇଚ୍ |
- ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (fOE \ = 20 MHz ସର୍ବାଧିକ)
- ଡାଟା ଏବଂ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଇନପୁଟ୍ ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ କ୍ଲମ୍ପ ଡାୟୋଡ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ |
- କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର (ICC = 1 mA ସାଧାରଣ)
- VCC ଅପରେଟିଂ ପରିସର 2.3 V ରୁ 3.6 V ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ |
- ଡାଟା I / Os ସମର୍ଥନ 0 ରୁ 5-V ସଙ୍କେତ ସ୍ତର (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ଇନପୁଟ୍ ଗୁଡିକ TTL କିମ୍ବା 5-V / 3.3-V CMOS ଆଉଟପୁଟ୍ ଦ୍ୱାରା ଚଲାଯାଇପାରିବ |
- Ioff ଆଂଶିକ-ଶକ୍ତି-ଡାଉନ୍ ମୋଡ୍ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସମର୍ଥନ କରେ |
- ଲ୍ୟାଚ୍ ଅପ୍ ପ୍ରଦର୍ଶନ JESD 78, ଶ୍ରେଣୀ II ପ୍ରତି 100 mA ଅତିକ୍ରମ କରିଛି |
- JESD ପ୍ରତି ESD କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପରୀକ୍ଷିତ 22 ଉଭୟ ଡିଜିଟାଲ୍ ଏବଂ ଆନାଗଲ୍ ପ୍ରୟୋଗକୁ ସମର୍ଥନ କରେ: PCI ଇଣ୍ଟରଫେସ୍, ଡିଫେରିଏନାଲ୍ ସିଗ୍ନାଲ୍ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍, ମେମୋରୀ ଇଣ୍ଟରଲିଭିଂ, ବସ୍ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା, ନିମ୍ନ ବିକୃତ ସିଗନାଲ୍ ଗେଟିଂ |
- 2000-ଭି ମାନବ-ଶରୀର ମଡେଲ୍ (A114-B, ଶ୍ରେଣୀ II)
- 1000-ଭି ଚାର୍ଜ-ଡିଭାଇସ୍ ମଡେଲ୍ (C101)
ଉତ୍ପାଦ ଉପକାରିତା |
- ତାପଜ ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଅତ୍ୟଧିକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା |
ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜର ଡିଜାଇନର୍ମାନଙ୍କ ପାଇଁ ଥର୍ମାଲ୍ ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଅନ୍ୟ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଆହ୍ .ାନ |ପ୍ରତ୍ୟେକ ଚାର୍ଜର ଚିପ୍ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ହେତୁ ଚାର୍ଜିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଏକ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ଅନୁଭବ କରେ |ବ୍ୟାଟେରୀ ନଷ୍ଟ କିମ୍ବା ସିଷ୍ଟମ୍ ବନ୍ଦକୁ ଏଡାଇବା ପାଇଁ, ଅଧିକାଂଶ ଚାର୍ଜର୍ ଗରମ ବିଲ୍ଡ-ଅପ୍ ପରିଚାଳନା ପାଇଁ କିଛି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଯନ୍ତ୍ରକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରନ୍ତି |କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ମର ତାପମାତ୍ରା ଉପରେ ନଜର ରଖିବା ଏବଂ ଚାର୍ଜ କରେଣ୍ଟକୁ ଗତିଶୀଳ ଭାବରେ କିମ୍ବା ପରିବେଶ ତାପମାତ୍ରାର ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ଆନୁପାତିକ ହାରରେ ହିସାବ କରିବା ପାଇଁ ନୂତନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ମତାମତ କ techni ଶଳ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି |ଏହି ବିଲ୍ଟ-ଇନ୍ ଇଣ୍ଟେଲିଜେନ୍ସ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଚାର୍ଜର ଚିପକୁ ଧୀରେ ଧୀରେ ଚାର୍ଜିଂ କରେଣ୍ଟକୁ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ ଯେପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପଜ ସନ୍ତୁଳନ ନଆସିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବା ବନ୍ଦ ହୋଇଯାଏ |ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିଷ୍ଟମକୁ ବନ୍ଦ ନକରି ବ୍ୟାଟେରୀକୁ ସର୍ବାଧିକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ କରେଣ୍ଟରେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଚାର୍ଜ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜିଂ ସମୟ କମିଯାଏ |ଆଜି ଅଧିକାଂଶ ନୂତନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ an ଏକ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା ଯନ୍ତ୍ର ଯୋଗ କରିବେ |
ଚାର୍ଜର BQ25616JRTWR ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜିଂ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଅପରେସନ୍ ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ସୁରକ୍ଷା ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରେ, ବ୍ୟାଟେରୀ ନକାରାତ୍ମକ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଥର୍ମିଷ୍ଟର ମନିଟରିଂ, ସୁରକ୍ଷା ଟାଇମର୍ ଚାର୍ଜ କରିବା ଏବଂ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଅତ୍ୟଧିକ କରେଣ୍ଟ୍ ସୁରକ୍ଷା ସହିତ |ଜଙ୍କସନର ତାପମାତ୍ରା 110 ° C ରୁ ଅଧିକ ହେଲେ ତାପଜ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଚାର୍ଜ କରେଣ୍ଟକୁ ହ୍ରାସ କରେ |STAT ଆଉଟପୁଟ୍ ଚାର୍ଜିଂ ସ୍ଥିତି ଏବଂ ଯେକ any ଣସି ତ୍ରୁଟି ଅବସ୍ଥା ବିଷୟରେ ରିପୋର୍ଟ କରେ |
ପ୍ରୟୋଗ ଦୃଶ୍ୟ |
ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜର୍ ଚିପ୍ ଏକ ପ୍ରକାର ପାୱାର୍ ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଚିପ୍ ର ଅଟେ, ପ୍ରୟୋଗ ପରିସର ବହୁତ ପ୍ରଶସ୍ତ |ପାୱାର ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଚିପ୍ସର ବିକାଶ ସମଗ୍ର ମେସିନର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ପାୱାର ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଚିପ୍ସର ଚୟନ ସିଷ୍ଟମର ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସିଧାସଳଖ ଜଡିତ ଥିବାବେଳେ ଡିଜିଟାଲ ପାୱାର ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଚିପ୍ସର ବିକାଶ ତଥାପି ଖର୍ଚ୍ଚ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ଅତିକ୍ରମ କରିବାକୁ ପଡିବ |
BQ25616 / 616J ହେଉଛି ଏକ ଏକୀକୃତ 3-ଏ ସୁଇଚ୍-ମୋଡ୍ ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜ ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଏକକ ସେଲ୍ ଲି-ଆଇନ୍ ଏବଂ ଲି-ପଲିମର ବ୍ୟାଟେରୀ ପାଇଁ ସିଷ୍ଟମ୍ ପାୱାର୍ ପଥ ପରିଚାଳନା ଉପକରଣ |ଇନପୁଟ୍ ରିଭର୍ସ-ବ୍ଲକିଂ FET (RBFET, Q1), ହାଇ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ FET (HSFET, Q2), ଲୋ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ FET (LSFET, Q3), ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀ FET (BATFET, Q4) ସହିତ ସମାଧାନଟି ଏକୀଭୂତ ହୋଇଛି | ବ୍ୟାଟେରୀଲୋ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ପାୱାର୍ ପଥ ସୁଇଚ୍-ମୋଡ୍ ଅପରେସନ୍ ଦକ୍ଷତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରେ, ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜିଂ ସମୟକୁ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାଲିବା ସମୟକୁ ବ ends ାଇଥାଏ |
BQ25616 / 616J ହେଉଛି ଏକ ଅତ୍ୟଧିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ 3-ଏ ସୁଇଚ୍-ମୋଡ୍ ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜ ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଏବଂ ଲି-ଆୟନ ଏବଂ ଲି-ପଲିମର ବ୍ୟାଟେରୀ ପାଇଁ ସିଷ୍ଟମ୍ ପାୱାର୍ ପାଥ୍ ମ୍ୟାନେଜମେଣ୍ଟ ଡିଭାଇସ୍ |ଏଥିରେ ସ୍ପିକର, ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଏବଂ ମେଡିକାଲ୍ ପୋର୍ଟେବଲ୍ ଡିଭାଇସ୍ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସମର୍ଥନ ସହିତ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି |ଏହାର ନିମ୍ନ ପ୍ରତିରୋଧ ଶକ୍ତି ଶକ୍ତି ସୁଇଚ୍-ମୋଡ୍ କାର୍ଯ୍ୟ ଦକ୍ଷତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରେ, ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାର୍ଜିଂ ସମୟକୁ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଡିସଚାର୍ଜ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାଲିବା ସମୟକୁ ବ ends ାଇଥାଏ |ଏହାର ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟମାବଳୀ ବ୍ୟାଟେରୀକୁ ସର୍ବାଧିକ ଚାର୍ଜିଂ ଶକ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
ଇନପୁଟ୍ ରିଭର୍ସ-ବ୍ଲକିଂ FET (RBFET, Q1), ହାଇ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ FET (HSFET, Q2), ଲୋ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ FET (LSFET, Q3), ଏବଂ ବ୍ୟାଟେରୀ FET (BATFET, Q4) ସହିତ ସମାଧାନଟି ଏକୀଭୂତ ହୋଇଛି | ବ୍ୟାଟେରୀସରଳୀକୃତ ସିଷ୍ଟମ୍ ଡିଜାଇନ୍ ପାଇଁ ଏହା ହାଇ-ସାଇଡ୍ ଗେଟ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍ ପାଇଁ ବୁଟ୍ ଷ୍ଟ୍ରାପ୍ ଡାୟୋଡ୍ କୁ ମଧ୍ୟ ଏକତ୍ର କରିଥାଏ |ଚାର୍ଜିଂ ସମାଧାନ ସେଟ୍ ଅପ୍ କରିବାକୁ ହାର୍ଡୱେର୍ ସେଟିଂ ଏବଂ ସ୍ଥିତି ରିପୋର୍ଟ ସହଜ ବିନ୍ୟାସ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
