-
ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ BOM ତାଲିକା IC IDW30C65D2 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସକ୍ରିଟ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଡାୟୋଡ୍ - ସଂଶୋଧନକାରୀ - ଆରେସ୍ Mfr ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ ରାପିଡ୍ 2 ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ ଡାୟୋଡ୍ ବିନ୍ୟାସ 1 ଯୁଗଳ ସାଧାରଣ କ୍ୟାଥୋଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ପ୍ରକାର ମାନକ ଭୋଲଟେଜ୍ - ଡିସି ରିଭର୍ସ (Vr) (ସର୍ବାଧିକ) 650 ଭି ସାମ୍ପ୍ରତିକ - ହାରାହାରି ସଂଶୋଧିତ | Io) (ପ୍ରତି ଡାୟୋଡ୍) 15A ଭୋଲଟେଜ୍ - ଅଗ୍ରଗାମୀ (Vf) (ସର୍ବାଧିକ) @ ଯଦି 2.2 V @ 15 ଏକ ଗତି ଦ୍ରୁତ ପୁନରୁଦ୍ଧାର = <500ns,> 200mA (Io) ଓଲଟା ରେକୋଭ୍ ... -
ମୂଳ ନୂତନ BSZ100 ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS ଷ୍ଟକ୍ରେ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଆଇସି ଚିପ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 60 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 6V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V ... -
BSZ060NE2LS ଆଇସି ଚିପ୍ ନୂତନ ମୂଲ୍ୟରେ ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ନୂତନ ମୂଳ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସକ୍ରିଟ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଟ୍ରାନ୍ସଷ୍ଟର - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 25 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 40A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ Rds ଅନ୍, ମିନି Rds ଅନ୍) 4.5V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 6mOhm @ ... -
(ଷ୍ଟକ୍) BSS138NH6327 ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ ଗରମ ଉତ୍ପାଦ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର - FET, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ SIPMOS® ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 60 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 230mA (Ta) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 4.5 ଭି, 10 ଭି ଆରଡି ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ ଇଡ୍, ଭିଗ୍ 3.5 ଓମ୍ @ 230mA ... -
ଷ୍ଟକ୍ MOSFET ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଡାୟୋଡ୍ ଥିରଷ୍ଟର SOT-223 BSP125H6327 ଆଇସି ଚିପ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର - FET, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ SIPMOS® ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 600 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ Rds ଅନ୍, ମିନି Rds ଅନ୍) 4.5V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA ... -
ଉତ୍ତମ ମୂଲ୍ୟରେ ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ବ୍ରାଣ୍ଡ୍ ନୂତନ ମୂଳ MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 30 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 4.5V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 2.8m ... -
ଷ୍ଟକ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ BSC160N10NS3G Ic ଚିପ୍ ଉଚ୍ଚ ଗୁଣ ସହିତ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 100 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 42A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 6V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 16mOh ... -
ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ BSC100N06LS3G ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 60 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 50A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 4.5V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 10mOh ... -
ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ସର୍ବୋତ୍ତମ ମୂଲ୍ୟରେ ମୂଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନରେ BSC070N10NS3G Ic ଚିପ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 100 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 6V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V ... -
BSC060N10NS3G ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଆଇ ଚିପ୍ BSC060N10NS3G
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 100 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 6V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 6mOh ... -
ନୂତନ ଏବଂ ମୂଳ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ହଟ୍ ବିକ୍ରୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଆଇସି ଚିପ୍ BSC016N06NS |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ - FETs, MOSFETs - ଏକକ Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ OptiMOS ™ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (TR) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ FET ପ୍ରକାର N- ଚ୍ୟାନେଲ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି MOSFET (ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍) | ) ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ (Vdss) 60 V କରେଣ୍ଟ୍ - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc) ଡ୍ରାଇଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (ମ୍ୟାକ୍ସ ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍, ମିନି ଆରଡିଏସ୍ ଅନ୍) 6V, 10V Rds ଅନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) @ Id, Vgs 1.6mOh ... -
BFS481H6327 ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟମାବଳୀ / ପରିଚାଳନା ଆନାଗଲ୍ ମଲ୍ଟିପ୍ଲାଏର୍ ଡିଭାଇଡର୍ |
ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣଗୁଡିକ TYPE DESCRIPTION ବର୍ଗ ଡିସଟ୍ରିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର - ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ (BJT) - RF Mfr ଇନଫାଇନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିରିଜ୍ - ପ୍ୟାକେଜ୍ ଟେପ୍ ଏବଂ ରିଲ୍ (ଟିଆର) କଟ୍ ଟେପ୍ (CT) ଡିଜି-ରିଲ୍ ଉତ୍ପାଦ ସ୍ଥିତି ସକ୍ରିୟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର 2 NPN (ଦ୍ୱ ual ତ) ଭୋଲଟେଜ୍ - କଲେକ୍ଟର | ଏମିଟର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ (ସର୍ବାଧିକ) 12V ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି - ଟ୍ରାନ୍ସଗେସନ୍ 8GHz ଶବ୍ଦ ଚିତ୍ର (dB ପ୍ରକାର @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 20dB ଶକ୍ତି ଲାଭ - ସର୍ବାଧିକ 175mW DC ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଲାଭ (hFE) (ମିନିଟ୍) ...
